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温补晶体振荡器(TC5032)

所属分类:


• 外形尺寸5.0*3.2*1.85mm • 体积小、重量轻 • 覆盖频率范围宽(10MHz到52MHz) • 频率精度高(±0.1ppm@40~+85°C,±0.2ppm@-40~+105°C)


宽温度范围

超小型化

超低抖动

高稳定性

超高频

产品详细信息


特征

• 外形尺寸5.0*3.2*1.85mm
• 体积小、重量轻
• 覆盖频率范围宽(10MHz到52MHz)
• 频率精度高(±0.1ppm@-40~85°C,±0.2ppm@-40~105℃)

典型应用

• 可广泛应用于工业电子设备和仪器中
 

 

尺寸

 

电性能参数

技术指标 3.3V 2.5V Unit
Min Max Min Max
工作电压 (VDD) Vdd-5% Vdd+5% Vdd-5% Vdd+5% V
输出频率 10 52 10 52 MHz
频率精确度 (25 °C) - ± 1.0 - ± 1.0 ppm
频率稳定度 Vs电源电压 (±5%)  - ± 0.1 - ± 0.1 ppm
Vs负载 (±10%)  - ± 0.05 - ± 0.05
Vs老化率 (@ 第一年) - ± 1.0 - ± 1.0
输出波形 CMOS  
输入电流 10 MHz < FO≤ 38 MHZ - 6.5 - 6.5 mA
38 MHz < FO≤ 52 MHZ - 7.5 - 7.5
输出电平 输出高电平 90% Vdd - 90% Vdd - V
输出低电平 - 10% Vdd - 10% Vdd
转换时间
(10% ~ 90%)
上升时间 - 6.5 - 6.5 纳秒
下降时间 - 6.5 - 6.5
占空比 45 55 45 55 %
负载 - 15 - 15 pF
输出波形 Clipped sine wave

 

技术指标

3.3V

2.5V

Unit.

Min.

Max.

Min.

Max.

输入电流

10 MHz≤F≤38 MHz

-

4.5

-

4.5

mA

38 MHz

-

5.0

-

5.0

输出电平

0.8

-

0.8

-

Vp-p

负载

10KΩ//10pF

10KΩ//10pF

 

三态控制

启用

80%Vdd

-

80%Vdd

-

V

禁用

-

20%Vdd

-

20%Vdd

启动时间

-

5

-

5

mSec

压控范围(VCTCXO)

0.5

2.5

0.5

2.5

V

牵引范围(VCTCXO)

±5.0

-

±5.0

-

ppm

压控输入阻抗

100

-

100

-

相位噪声@TCXO
VDD=3.3V,
Fout=20MHz

100 Hz

-122

-122

dBc/Hz

1KHz -142 -142
10KHz -154 -154
100KHz -157 -157
1MHz -159 -159

 

标准频率是指晶体设计的频率,并不表示存货状况。

* 回流后1小时,在25℃条件下测量的频率。

 

频率稳定度vs.温度范围

温度 (℃) / ppm ± 0.05 ± 0.1 ± 0.2 ± 0.28 ± 0.5
-10 ~ +60
-20 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +95
-40 ~ +105

 

⚪: 可提供 ▲: 有条件下提供❌: 不提供

注意: 并非所有选项组合都可提供。其他规格可根据要求提供。

规格如有更改,恕不另行通知。


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