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实时时钟模块(TR8010)

所属分类:


• 内置32.768KHz晶体单元 • 操作电压:1.8~5.5V • 时钟电路电压:1.8~5.5V • 低电流消耗:2.2μA@3V(典型值) • 频率输出功能:CMOS输出或开漏输出 • 自动闰年调整功能 • 包含完整日历、闹钟、定时器等多种功能 • 本产品符合工业标准SOP8封装


宽温度范围

超小型化

超低抖动

高稳定性

超高频

产品详细信息


功能和应用

• 内置32.768kHz晶体单元
• 接口类型:I2C(400KHz)
• 操作电压:1.8~5.5V
• 时钟电路电压:1.8~5.5V
• 低电流消耗:2.2μA@3V(典型值)

• 频率输出功能:CMOS输出或开漏输出
• 自动闰年调整功能
• 包含完整日历、闹钟、定时器等多种功能
• 本产品符合工业标准SOP8封装

 

结构

 

概述

• 接口类型:I2C高速总线规范(400KHz)
• 频率输出功能: 可选择CMOS输出或开漏输出;输出频率可选:32.768KHz,1024Hz,1Hz
• 定时器功能:定时器功能可设置在1/4096秒和65535小时之间;定时周期有1小时,1分钟,64Hz,4096Hz
• 闹钟功能:闹钟功能可以设置到星期、日、小时和分钟

 

外部尺寸

 

自由性特征

项目 代号 条件 最小值 典型值 最大值 单位
频率容差 ▲f/f

Ta=25℃

VDD=3.0V

5±23℃ ppm
起振时间 tSTA

Ta=25℃

VDD=1.8V

    0.9 S

Ta =-40℃ ~ 85℃

VDD= 1.8 ~ 5.5V

    2.0 S

 

※ 相当于±1分钟的月偏差

 

电流消耗特性

 

项目 符号 条件 最小值 典型 最大值 单位。

电流

消耗

IDD1

FOE=GND

FOUT=Hi-Z

VDD=5V   2.6   uA
IDD2 VDD=3V   2.5  
IDD3

FOE=VDD

FOUT= 32.768kHz

CL = 0pF

VDD=5V   3.6  
IDD4 VDD= 3V   3.0  
IDD5

FOE=VDD

FOUT=32.768kHz

CL=30pF

VDD= 5V   7.5  
IDD6 VDD= 3V   6.2  

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湖北省随州市曾都经济开发区泰晶科技半导体园区

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