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CMOS晶体振荡器(XO3225)

所属分类:


• 外形尺寸3.2*2.5*1.0mm • 体积小、可靠性高 • 工作温度范围宽:-40~+125°C


宽温度范围

超小型化

超低抖动

高稳定性

超高频

产品详细信息


特征

• 外形尺寸3.2*2.5 *0.9mm
• 低相位抖动: 典型值 0.3 pS RMS @ 12 KHz~20 MHZ
• 工作温度范围宽:-40~+125°C
• 体积小、可靠性高

 

典型应用

• 可广泛应用于工业通讯、导航、雷达等领域

• AEC-Q100&AEC-Q200适用

 

 

尺寸

 

 

电性能参数

技术指标 3.3V 2.5V 1.8V Unit.
Min. Max. Min. Max. Min. Max.
工作电压(VDD) VDD-5% VDD+5% VDD-5% VDD+5% VDD-5% VDD+5% V
输出频率 1 125 1 125 1 125 MHz
标称频率     24,26 ,30,40     MHz
输入电流 在15pF负载时 - 25 - 25 - 20 mA
无负载时, 1MHz≤F<10MHz - 1.0 - 1.0 - 0.75 mA
无负载时,10MHz≤F<20MHz - 1.0 - 1.0 - 0.75 mA
无负载时,20MHz≤F<80MHz - 1.3 - 1.3 - 1.0 mA
无负载时,80MHz≤F<125MHz - 6 - 6 - 3 mA
  占空比 45 55 45 55 45 55 %
输出电平 输出高电平 2.97 - 2.25 - 1.62 - V
输出低电平 - 0.33 - 0.25 - 0.18

转换时间:

上升/下降时间+

1.25MHz≤Fo<10MHz - 4 - 5 - 6 nSec
10MHz≤Fo<20MHz - 4 - 5 - 6 nSec
20MHz≤Fo<80MHz - 4 - 5 - 6 nSec
80MHz≤Fo<125MHz   4   5   6 nSec
  启动时间 - 5 - 5 - 5 mSec

三态

(接Pin1)

启用(高电平或者悬空) 2.31 - 1.75 - 1.26 - V
禁用(低电平或接地) - 0.99 - 0.75 - 0.54
  输出负载 1 5 1 5 1 5 pF
待机电流 (@-40℃ to 85℃) - 10 - 10 - 10 uA
(@-40℃ to 125℃) - 20 - 20 - 20 uA
老化率(@25℃,第一年) - ±3 - ±3 - ±3 ppm
存储温度 -55 125 -55 125 -55 125
抖动(峰峰值) - 40 - 40 - 40 pSec
相位抖动均方根(12KHz~20MHz) - 1 - 1 - 1 pSec

 

频率稳定度vs.温度范围

温度 (℃) / ppm ± 20 ± 25 ± 50
-10 ~ 60
-20 ~ 70
-40 ~ 85

 

⚪: 可提供   ▲: 有条件下提供   ❌: 不可提供

* 包括 25℃,工作温度范围,输入电压变化、负载变化、老化率(第一年)冲击和援动条件下校准。


注意: 并非所有选项的组合都可提供,其他规格可根据要求提供。
规格如有更改,恕不另行通知。


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湖北省随州市曾都经济开发区泰晶科技半导体园区

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