+
  • 402.jpg

CMOS晶体振荡器(XO2520)

所属分类:


• 外形尺寸2.5*2.0*0.9mm • 体积小、可靠性高 • 宽电源电压:1.7-3.6V • 工作温度范围:-40~+125℃


宽温度范围

超小型化

超低抖动

高稳定性

超高频

产品详细信息


特征

• 外形尺寸2.5*2.0*0.9mm
• 体积小、可靠性高
• 宽电源电压:1.7-3.6V
• 工作温度范围:-40~+125℃
典型应用

• 可广泛应用于工业通讯、导航、雷达等领域
• AEC-Q100 &AEC-Q200适用
 

尺寸

 

电性能参数

技术指标 3.3V 2.5V 1.8V Unit.
Min. Max. Min. Max. Min. Max.
工作电压(VDD) VDD-5% VDD+5% VDD-5% VDD+5% VDD-5% VDD+5% V
输出频率 1 125 1 125 1 125 MHz
输入电流 在15pF负载时 - 25 - 25 - 20 mA
无负载时,1MHz≤F。<10MHz - 1.0 - 1.0 - 0.75 mA
无负载时,10MHz≤F。<20MHz - 1.0 - 1.0 - 0.75 mA
无负载时,20MHz≤F。<80MHz - 1.3 - 1.3 - 1.0 mA
无负载时,80MHz≤F。<125MHz - 6 - 6 - 3 mA
占空比 45 55 45 55 45 55 %6
输出电平 输出高电平 2.97 - 2.25 - 1.62 - V
输出低电平 - 0.33 - 0.25 - 0.18

转换时间:

上升/下降时间+

1.25MHz≤F。<10MHz - 4 - 5 - 6 nSec
10MHz≤F。<20MHz - 4 - 5 - 6 nSec
20MHz≤F。<80MHz - 4 - 5 - 6 nSec
  启动时间 - 5 - 5 - 5 mSec

三态

 

(接Pin1)

启用(高电平或者悬空) 0.7VDD - 0.7VDD - 0.7VDD - V
禁用(低电平或接地) - 0.3VDD - 0.3VDD - 0.3VDD
输出负载 1 5 1 5 1 5 PF
待机电流 - 100 - 100 - 100 uA
老化率(@25℃,第一年) - ±3 - ±3 - ±3 ppm
存储温度 -55 125 -55 125 -55 125
抖动(峰峰值) - 40 - 40 - 40 pSec
相位抖动均方根(12KHz~20MHz) - 1 - 1 - 1 pSec

 

标准频率是指晶体设计的频率,并不表示存货状况。

+转换时间是在电源电压10%-90%变化范围内测量的。

 

频率稳定度vs.温度范围

温度 (℃) / ppm

± 20

± 25

± 50

-10 ~ +60

-20 ~ +70

-40 ~+85

-40 ~ +125

X

X

 

⚪: 可提供   ▲: 有条件下提供   ❌: 不可提供

* 包括校准 @ 25 ° c,工作温度范围,输入电压变化,负载变化,老化 (第一年),冲击和振动条件下校准。


注意:并非所有选项组合都可提供。
其他规格可根据要求提供,规格如有更改编辑。


相关产品


联系我们

图片名称

137 1505 9500

邮箱: service@sztkd.com

湖北省随州市曾都经济开发区泰晶科技半导体园区

%{tishi_zhanwei}%
Baidu
sogou